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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
5300
Por volta de 4.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
23400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2709
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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