RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
10.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2773
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link