RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
68
Por volta de -127% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3199
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link