RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
68
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
30
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3199
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link