RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston XN205T-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XN205T-MIE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
68
Por volta de -119% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
3522
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link