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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Kingston XN205T-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XN205T-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
3,886.6
16.9
写入速度,GB/s
1,702.6
15.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3522
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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