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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
68
Por volta de -134% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
2464
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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