Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.2

Среднее значение в тестах

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 68

Около -134% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 1,702.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,886.6 13.2
Скорость записи, Гб/сек

1,702.6 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

654 2464

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

модули RAM

Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB

Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

модули RAM