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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1768
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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