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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,042.4
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
61
Por volta de -91% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,448.3
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,042.4
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
860
2844
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Mushkin 994093 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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