RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
56
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
56
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2294
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link