RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
96
Por volta de -256% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2347
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link