RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2429
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link