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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2429
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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