RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
12.2
Скорость записи, Гб/сек
5.2
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2443
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link