RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
13.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3241
2462
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB Сравнения RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link