RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2278
2943
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link