RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3273
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link