RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3273
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link