RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.1
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3177
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link