RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3075
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link