RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 38
    Около 39% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 9.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    23 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.6 left arrow 9.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.4 left arrow 8.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2096 left arrow 2110

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
модули RAM