RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
3938
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link