RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,378.6
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,670.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,378.6
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
861
3938
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link