RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2382
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link