RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2154
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link