RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2938
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link