RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
4.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
3306
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link