Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Средняя оценка

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Причины выбрать
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 52

Около 52% меньшая задержка

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.5 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 52
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 20.5
Скорость записи, Гб/сек

8.2 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2152 2472

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905702-120.A00G 8GB

Kingston 9905702-120.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

модули RAM