RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
33
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
33
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
16.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
3035
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link