RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
3260
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link