RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2904
3035
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link