RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
53
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
53
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2356
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link