G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 33

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 10.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.9 14.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 16.9
Скорость записи, Гб/сек

13.4 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 25600

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3671 3035

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

модули RAM

ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

Kingston XF875V-HYA 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

SK Hynix 8GB36-H9 8GB

SK Hynix 8GB36-H9 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

модули RAM