RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,001.7
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,776.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,001.7
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
669
3020
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link