RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
74
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
5.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link