RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
74
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
74
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link