RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

34 74

Rund um 54% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.9 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.0 5.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1682 1925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns