RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
31
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2066
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link