RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link