RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2135
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link