RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 29
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.9 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.4 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 20.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 17.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 3963

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
модули RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
модули RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
модули RAM