RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3963
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link