RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link