RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2545
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link