RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link