Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 14.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 77

Около -126% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3138

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB

Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

модули RAM