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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
77
Por volta de -126% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3138
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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