RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3138
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link