RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link