RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link