RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
29
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
25.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
21.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link