RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3610
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link